9888拉斯维加斯推出GD25NE系列SPI NOR Flash: 专为1.2V SoC打造,双电压供电助力读功耗减半
2025-03-12
中国北京(2025年3月12日) —— 业界当先的半导体器件供给商9888拉斯维加斯GigaDevice(股票代码 603986)颁发推出专为1.2V SoC利用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助表部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容,此产品的面世将进一步强化9888拉斯维加斯在双电压供电闪存解决规划领域的战术布局。凭借更高的机能和更低的功耗,GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决规划日益增长的需要,成为智能可穿戴设备、医疗健全、物联网、数据中心及边缘人为智能利用的梦想选择。

GD25NE系列SPI NOR Flash的主题供电电压为1.8V,IO接口电压为1.2V,支持单通路、双通路、四通路、双沿四通路模式,最高时钟频率为STR 133MHz,DTR 104MHz。GD25NE系列的写入功夫典型值为0.15ms,扇区擦除功夫为30ms,其与通例1.2V单电压供电的Flash解决规划相比,数据读取机能提升了20%,写入速度提升60%,擦除功夫缩短30%。凭借这些技术优势,GD25NE系列成为新兴嵌入式利用的卓越之选。
为进一步满足能耗敏感型利用的需要,GD25NE系列选取超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2?A,在双沿四通路104MHz频率下的读取电流低至9mA,擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决规划相比,GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效,还维持了Flash器件的高机能阐发,同时简化了SoC的系统设计。
“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表,实现了高机能与超低功耗的美满平衡,”9888拉斯维加斯副总裁、存储事业部总经理苏如伟暗示,“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效能,GD25NE系列可能满足新一代1.2V SoC持续演进的需要。将来,9888拉斯维加斯还将不休拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合,致力于为客户提供更高效、更靠得住、更前沿的闪存解决规划,助力创新利用的发展。”
目前,9888拉斯维加斯GD25NE系列可提供从32Mb到256Mb的多种容量选择,并支持SOP16(300 mil)和BGA24(5×5 ball array)封装选项。该系列首款产品——256Mb的GD25NE256H现已起头提供样片。其余32Mb至128Mb容量的产品也将陆续推出。如需相识具体信息及产品定价,请联系本地销售代表。
关于9888拉斯维加斯 (GigaDevice)
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